Na última quinta-feira (25), a Samsung anunciou a criação do primeiro módulo de memória RAM no padrão GDDR5 de 512GB. Esse upgrade só se fez possível devido ao uso de novas tecnologias de silício, e a melhora não ocorre somente na capacidade de armazenamento, uma vez que quando comparamos ao DDR4 podemos perceber que a performance será dobrada e o consumo de energia será, por incrível que pareça, 13% menor.
Houve uma grande revolução no material isolante, pois essa RAM faz uso do HKMG (High-K Metal Gate), extremamente eficiente na tarefa de evitar a fuga da corrente elétrica. Cada vez mais os módulos ficam menores e, quando isso ocorre, a camada de isolamento, que era feita de silício, também diminui e os vazamentos de corrente tornam-se usuais, o que impede o funcionamento do hardware. Todavia, a Samsung já fez uso do HKMG em módulos de memória GDDR6, utilizados em placas de vídeo, caso por exemplo da NVIDIA Quadro RTX.
Para que fossem atingidos os 512GB, a Samsung empilhou 8 camadas de 16GB em cada chip de DRAM. Ao todo, são 40 chips interligados pela tecnologia TSV (through-silicon via). Por mais que isso totalize 640GB, os 128GB “extra” provavelmente serão usados para correção de memória.
Por fim, é importante dizer que o foco desses módulos de memórias RAM não será o público geral, mas sim a supercomputação. Nessa prática, exige-se muita memória para o processamento de muita informação, como aprendizado de máquina e inteligência artificial. Além disso, os servidores também farão bom proveito da novidade de 512GB da Samsung.
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