De acordo com uma publicação do SamMobile desta terça-feira (30), a Samsung pretende iniciar a produção em massa de semicondutores de 2 nanômetros (nm) já em 2025.
Um relatório recente da Business Korea revela também que a nova geração fará uso da tecnologia Gate All Around (GAA) de terceira geração.
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Conforme explicado, a tecnologia GAA será a responsável por fornecer melhorias de desempenho e eficiência energética para os chips. A Samsung dará mais detalhes da novidade durante o VLSI Symposium 2024, um dos principais encontros globais de semicondutores, que ocorrerá de 16 a 20 de junho em Hawaii, nos EUA.
Vale lembrar que a primeira vez que o GAA foi observado foi no processo de 3nm da Samsung, e desde então cumpre seu propósito. Para que se tenha ideia, em relação aos chips de 5nm, os chips de 3nm de primeira geração demonstraram uma redução de 16% na área, o que corresponde a um aumento de 23% no desempenho e 45% mais eficiência energética.
Por fim, quando compara-se o processo de 5nm com a próxima geração, a promessa é de redução de tamanho dos chips em 35%, o que implica em desempenho em 30% e 50% a mais de eficiência energética.